2月10日消息，西部数据及其生产合作伙伴铠侠在官网上表示，由于其用于生产闪存芯片的材料受到污染，导致铠侠位于日本的两座闪存（NAND Flash）芯片工厂停工。目前也不清楚工厂中断的影响会有多严重，西部数据和铠侠也没有给出何时恢复生产的声明。

铠侠表示，自1月下旬以来，由于生产闪存芯片的材料受到污染，铠侠在日本四日市的工厂和北上工厂的部分业务受到影响。推测原因是3D闪存BiCS FLASH的特定生产过程中含有杂质的组件。

铠侠在声明表示，该问题影响了其 3D BiCS 闪存的生产，这将影响3D NAND闪存的出货，该产品用于各种 SSD 和其他产品。铠侠预计传统2D NAND闪存的发货不会受到影响。铠侠强调，目前公司正努力采取各种措施弥补，争取早日恢复正常生产。同时会尽最大努力减少对客户的影响。

铠侠是全球最大的闪存和固态存储生产商之一，也是西部数据的主要供应商。西部数据也表示正在与其合资伙伴铠侠密切合作，以实施必要的措施，以尽快使设施恢复正常运营状态。

据西部数据表示，目前该公司至少6.5 exabytes的闪存被污染。暂时还不清楚，是否有涉及已经出货的产品，因为最终很可能会召回产品。虽然双方都没有详细说明事件的细节，但鉴于此事的严重性，对市场上SSD的供应影响可能会很快显现。

Wells Fargo的分析师表示，西部数据闪存芯片供应量将减少至少6.5exabytes，这意味着此次生产中断带来的产量总缺口约为16EB，而这相当于一个季度市场总消费量的10%左右。（注：1EB=10亿GB）

Ace Research Institute的分析师强调，闪存价格肯定会上涨，这次污染事件只会加剧供应短缺和组件价格上涨趋势。

值得注意的是，该事件发生前，TrendForce集邦咨询预估全年NAND Flash市场呈现微幅供过于求态势，第一季至第二季均价较有走跌压力。然而西部数据物料污染影响重大，加上先前Samsung（三星）因西安疫情管控也促使NAND Flash价格跌价幅度趋缓，第一季价格跌幅将因此收敛至5~10%，第二季NAND Flash价格可能转为翻涨5~10%。

据市场调查机构Omdia 公布的数据显示，2021年第三季度三星电子在全球NAND闪存市场中的占有率为34.5%位居榜首，日本铠侠占据全球市场第二位（19.5%），其后依次是SK海力士（13.6%）、西部数据（13%）、微软（9.9%）和英特尔（5.9%）。随着中国市场监管部门最近批准SK海力士收购位于大连的NAND闪存制造工厂，其市场份额未来有望超过日本铠侠跃居全球第二。

闪存芯片是很多电子设备的重要组成部分，小到手机大到汽车、超级计算机都要运用到这种芯片。在全球半导体短缺持续的局面下，芯片生产接连遭受挫折，或将导致芯片价格不断走高。